Process optimization for the effective reduction of threading dislocations in MOVPE grown GaN using in situ deposited SiNx masks

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Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 2008

Volumen: 310

Número: 23

Páginas: 4867-4870

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2008.07.075 GOOGLE SCHOLAR