Impact of local structure on halogen ion migration in layered methylammonium copper halide memory devices

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Revista:
Journal of Materials Chemistry A

ISSN: 2050-7496 2050-7488

Año de publicación: 2020

Volumen: 8

Número: 34

Páginas: 17516-17526

Tipo: Artículo

DOI: 10.1039/D0TA06248K GOOGLE SCHOLAR

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