Resistive switching dependence on atomic layer deposition parameters in HfO2-based memory devices

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Revista:
Journal of Materials Chemistry C

ISSN: 2050-7534,  2050-7526

Año de publicación: 2014

Volumen: 2

Número: 17

Páginas: 3204-3211

Tipo: Artículo

DOI: 10.1039/C3TC31819B GOOGLE SCHOLAR
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