Resistive switching dependence on atomic layer deposition parameters in HfO2-based memory devices

  1. Zazpe, R.
  2. Ungureanu, M.
  3. Golmar, F.
  4. Stoliar, P.
  5. Llopis, R.
  6. Casanova, F.
  7. Pickup, D.F.
  8. Rogero, C.
  9. Hueso, L.E.
Revista:
Journal of Materials Chemistry C

ISSN: 2050-7534,  2050-7526

Año de publicación: 2014

Volumen: 2

Número: 17

Páginas: 3204-3211

Tipo: Artículo

DOI: 10.1039/C3TC31819B GOOGLE SCHOLAR

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