Resistive switching dependence on atomic layer deposition parameters in HfO2-based memory devices

  1. Zazpe, R.
  2. Ungureanu, M.
  3. Golmar, F.
  4. Stoliar, P.
  5. Llopis, R.
  6. Casanova, F.
  7. Pickup, D.F.
  8. Rogero, C.
  9. Hueso, L.E.
Aldizkaria:
Journal of Materials Chemistry C

ISSN: 2050-7534,  2050-7526

Argitalpen urtea: 2014

Alea: 2

Zenbakia: 17

Orrialdeak: 3204-3211

Mota: Artikulua

DOI: 10.1039/C3TC31819B GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus