Role of Surface Reduction in the Formation of Traps in n-Doped II-VI Semiconductor Nanocrystals: How to Charge without Reducing the Surface

  1. Du Fossé, I.
  2. Ten Brinck, S.
  3. Infante, I.
  4. Houtepen, A.J.
Revue:
Chemistry of Materials

ISSN: 1520-5002,  0897-4756

Année de publication: 2019

Volumen: 31

Número: 12

Pages: 4575-4583

Type: Article

DOI: 10.1021/ACS.CHEMMATER.9B01395 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccès ouvert editor

Objectifs de Développement Durable

La source de données: Scopus