Role of Surface Reduction in the Formation of Traps in n-Doped II-VI Semiconductor Nanocrystals: How to Charge without Reducing the Surface

  1. Du Fossé, I.
  2. Ten Brinck, S.
  3. Infante, I.
  4. Houtepen, A.J.
Zeitschrift:
Chemistry of Materials

ISSN: 1520-5002,  0897-4756

Datum der Publikation: 2019

Ausgabe: 31

Nummer: 12

Seiten: 4575-4583

Art: Artikel

DOI: 10.1021/ACS.CHEMMATER.9B01395 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor

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