Role of Surface Reduction in the Formation of Traps in n-Doped II-VI Semiconductor Nanocrystals: How to Charge without Reducing the Surface

  1. Du Fossé, I.
  2. Ten Brinck, S.
  3. Infante, I.
  4. Houtepen, A.J.
Revista:
Chemistry of Materials

ISSN: 1520-5002,  0897-4756

Any de publicació: 2019

Volum: 31

Número: 12

Pàgines: 4575-4583

Tipus: Article

DOI: 10.1021/ACS.CHEMMATER.9B01395 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus