Electronic Bandgap and Exciton Binding Energy of Layered Semiconductor TiS3 (Adv. Electronic Mater., (2015), 1, 1500126, 10.1002/aelm.201500126)

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Revista:
Advanced Electronic Materials

ISSN: 2199-160X

Año de publicación: 2015

Volumen: 1

Número: 11

Tipo: Errata

DOI: 10.1002/AELM.201500332 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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