Electronic Bandgap and Exciton Binding Energy of Layered Semiconductor TiS3 (Adv. Electronic Mater., (2015), 1, 1500126, 10.1002/aelm.201500126)
- Molina-Mendoza, A.J.
- Barawi, M.
- Biele, R.
- Flores, E.
- Ares, J.R.
- Sánchez, C.
- Rubio-Bollinger, G.
- Agraït, N.
- D'Agosta, R.
- Ferrer, I.J.
- Castellanos-Gomez, A.
Aldizkaria:
Advanced Electronic Materials
ISSN: 2199-160X
Argitalpen urtea: 2015
Alea: 1
Zenbakia: 11
Mota: Hutsen zuzenketa