Engineering anisotropic magnetoresistance of Hall bars with interfacial organic layers

  1. Park, J.H.
  2. Ribeiro, M.
  3. Pham, T.K.H.
  4. Lee, N.J.
  5. Eom, T.-W.
  6. Jo, J.
  7. Park, S.-Y.
  8. Rhim, S.H.
  9. Nakamura, K.
  10. Yoo, J.-W.
  11. Kim, T.H.
Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology B

ISSN: 2166-2754 2166-2746

Año de publicación: 2020

Volumen: 38

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1116/6.0000222 GOOGLE SCHOLAR