Gate tunability of highly efficient spin-to-charge conversion by spin Hall effect in graphene proximitized with WSe2

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Revista:
APL Materials

ISSN: 2166-532X

Año de publicación: 2020

Volumen: 8

Número: 7

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/5.0006101 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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