Mechanisms of formation of chemical bonding and defect formation at the a-SiO2/BaTiO3 interfaces

  1. Kimmel, A.V.
  2. Sushko, P.V.
Aldizkaria:
Journal of Physics Condensed Matter

ISSN: 1361-648X,  0953-8984

Argitalpen urtea: 2015

Alea: 27

Zenbakia: 47

Mota: Artikulua

DOI: 10.1088/0953-8984/27/47/475006 GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak

Datuen iturria: Scopus