Process optimization for the effective reduction of threading dislocations in MOVPE grown GaN using in situ deposited SiNx masks

  1. Hertkorn, J.
  2. Lipski, F.
  3. Brückner, P.
  4. Wunderer, T.
  5. Thapa, S.B.
  6. Scholz, F.
  7. Chuvilin, A.
  8. Kaiser, U.
  9. Beer, M.
  10. Zweck, J.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Ano de publicación: 2008

Volume: 310

Número: 23

Páxinas: 4867-4870

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2008.07.075 GOOGLE SCHOLAR