Process optimization for the effective reduction of threading dislocations in MOVPE grown GaN using in situ deposited SiNx masks

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Zeitschrift:
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ISSN: 0022-0248

Datum der Publikation: 2008

Ausgabe: 310

Nummer: 23

Seiten: 4867-4870

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2008.07.075 GOOGLE SCHOLAR