Process optimization for the effective reduction of threading dislocations in MOVPE grown GaN using in situ deposited SiNx masks

  1. Hertkorn, J.
  2. Lipski, F.
  3. Brückner, P.
  4. Wunderer, T.
  5. Thapa, S.B.
  6. Scholz, F.
  7. Chuvilin, A.
  8. Kaiser, U.
  9. Beer, M.
  10. Zweck, J.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Any de publicació: 2008

Volum: 310

Número: 23

Pàgines: 4867-4870

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2008.07.075 GOOGLE SCHOLAR