Oxygen induced strain field homogenization in AlN nucleation layers and its impact on GaN grown by metal organic vapor phase epitaxy on sapphire: An x-ray diffraction study

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  7. Kaiser, U.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2009

Volumen: 105

Número: 3

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.3074095 GOOGLE SCHOLAR