Impact of local structure on halogen ion migration in layered methylammonium copper halide memory devices

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Zeitschrift:
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ISSN: 2050-7496 2050-7488

Datum der Publikation: 2020

Ausgabe: 8

Nummer: 34

Seiten: 17516-17526

Art: Artikel

DOI: 10.1039/D0TA06248K GOOGLE SCHOLAR