Electron transport through dangling-bond silicon wires on H-passivated Si(100)

  1. Kepenekian, M.
  2. Novaes, F.D.
  3. Robles, R.
  4. Monturet, S.
  5. Kawai, H.
  6. Joachim, C.
  7. Lorente, N.
Revista:
Journal of Physics Condensed Matter

ISSN: 0953-8984,  1361-648X

Año de publicación: 2013

Volumen: 25

Número: 2

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0953-8984/25/2/025503 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible

Fuente de los datos: Scopus