Nanosecond-range imprint and retention characterized from polarization-voltage hysteresis loops in insulating or leaky ferroelectric thin films

  1. Jiang, A.Q.
  2. Liu, X.B.
  3. Zhang, Q.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2011

Volumen: 99

Número: 14

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.3647577 GOOGLE SCHOLAR

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