Resistive switching dependence on atomic layer deposition parameters in HfO2-based memory devices

  1. Zazpe, R.
  2. Ungureanu, M.
  3. Golmar, F.
  4. Stoliar, P.
  5. Llopis, R.
  6. Casanova, F.
  7. Pickup, D.F.
  8. Rogero, C.
  9. Hueso, L.E.
Revista:
Journal of Materials Chemistry C

ISSN: 2050-7534,  2050-7526

Any de publicació: 2014

Volum: 2

Número: 17

Pàgines: 3204-3211

Tipus: Article

DOI: 10.1039/C3TC31819B GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus