Mato
Knez
Group Leader
Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology
Villeneuve-d'Ascq, FranciaPublicacions en col·laboració amb investigadors/es de Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (2)
2007
-
Barrier layer downscaling of InAlN/GaN HEMTs
65th DRC Device Research Conference
-
Characteristics of Al2O3/AlInN/GaN MOSHEMT
Electronics Letters, Vol. 43, Núm. 12, pp. 691-692