Estado del arte de la tecnología planar y trench de IGBTs de silicio

  1. Matallana Fernandez, Asier 1
  2. Andreu Larrañaga, Jon 1
  3. Aranzabal Santamaria, Itxaso 1
  4. López Senderos, Víctor 1
  5. Pérez Basante, Angel Luis 1
  1. 1 Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea
    info

    Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea

    Lejona, España

    ROR https://ror.org/000xsnr85

Actas:
Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación ( SAAEI'15) (22º. Zaragoza. 2015)

Editorial: SAAEI

ISBN: 978-84-944131-2-4

Año de publicación: 2015

Páginas: 466-471

Tipo: Aportación congreso

GOOGLE SCHOLAR lock_openADDI editor

Resumen

La aparición del IGBT supuso el desarrollo del semiconductor de potencia para las aplicaciones depotencia que requieren elevados valores de tensión y corriente junto a elevadas frecuencias deconmutación. Durante los últimos 30 años, con la evolución de la tecnología y los métodos defabricación, se han ido desarrollando diversas arquitecturas de IGBTs con el objetivo de conseguirdispositivos capaces de soportar mayores potencias y temperaturas, obteniendo al mismo tiempomenores pérdidas de conducción y conmutación. En este artículo se analiza la evolución desde lasarquitecturas planares y trench de los IGBTs de silicio hasta la fusión de ambas tecnologías en unmismo dispositivo analizando los rangos de tensión y corriente de cada tecnología, junto a su diseño ylas características estáticas, dinámicas y térmicas que los definen.