Gate-Tunable Spin Hall Effect in Trilayer Graphene/Group-IV Monochalcogenide van der Waals Heterostructures

  1. Yang, H.
  2. Chi, Z.
  3. Avedissian, G.
  4. Dolan, E.
  5. Karuppasamy, M.
  6. Martín-García, B.
  7. Gobbi, M.
  8. Sofer, Z.
  9. Hueso, L.E.
  10. Casanova, F.
Revista:
Advanced Functional Materials

ISSN: 1616-3028 1616-301X

Año de publicación: 2024

Volumen: 34

Número: 42

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/ADFM.202404872 GOOGLE SCHOLAR