Gated-controlled rectification of a self-assembled monolayer-based transistor

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Revista:
Journal of Physical Chemistry C

ISSN: 1932-7447 1932-7455

Año de publicación: 2013

Volumen: 117

Número: 16

Páginas: 8468-8474

Tipo: Artículo

DOI: 10.1021/JP311875G GOOGLE SCHOLAR

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