Electronic Bandgap and Exciton Binding Energy of Layered Semiconductor TiS3 (Adv. Electronic Mater., (2015), 1, 1500126, 10.1002/aelm.201500126)
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Revista:
Advanced Electronic Materials
ISSN: 2199-160X
Ano de publicación: 2015
Volume: 1
Número: 11
Tipo: Errata