HfO2 based memory devices with rectifying capabilities

  1. Quinteros, C.
  2. Zazpe, R.
  3. Marlasca, F.G.
  4. Golmar, F.
  5. Casanova, F.
  6. Stoliar, P.
  7. Hueso, L.
  8. Levy, P.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2014

Volumen: 115

Número: 2

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4861167 GOOGLE SCHOLAR