Photodoping-Driven Crossover in the Low-Frequency Noise of MoS2 Transistors

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Revista:
Physical Review Applied

ISSN: 2331-7019

Año de publicación: 2017

Volumen: 7

Número: 3

Tipo: Artículo

DOI: 10.1103/PHYSREVAPPLIED.7.034034 GOOGLE SCHOLAR
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