Nanoscale residual stress-field mapping around nanoindents in SiC by IR s-SNOM and confocal Raman microscopy

  1. Gigler, A.M.
  2. Huber, A.J.
  3. Bauer, M.
  4. Ziegler, A.
  5. Hillenbrand, R.
  6. Stark, R.W.
Revista:
Optics Express

ISSN: 1094-4087

Ano de publicación: 2009

Volume: 17

Número: 25

Páxinas: 22351-22357

Tipo: Artigo

DOI: 10.1364/OE.17.022351 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor
Fonte de datos: Scopus