Nanoscale residual stress-field mapping around nanoindents in SiC by IR s-SNOM and confocal Raman microscopy

  1. Gigler, A.M.
  2. Huber, A.J.
  3. Bauer, M.
  4. Ziegler, A.
  5. Hillenbrand, R.
  6. Stark, R.W.
Aldizkaria:
Optics Express

ISSN: 1094-4087

Argitalpen urtea: 2009

Alea: 17

Zenbakia: 25

Orrialdeak: 22351-22357

Mota: Artikulua

DOI: 10.1364/OE.17.022351 GOOGLE SCHOLAR lock_openSarbide irekia editor
Datuen iturria: Scopus