Nanoscale residual stress-field mapping around nanoindents in SiC by IR s-SNOM and confocal Raman microscopy

  1. Gigler, A.M.
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Zeitschrift:
Optics Express

ISSN: 1094-4087

Datum der Publikation: 2009

Ausgabe: 17

Nummer: 25

Seiten: 22351-22357

Art: Artikel

DOI: 10.1364/OE.17.022351 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor
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