InAlN/GaN MOSHEMT with self-aligned thermally generated oxide recess

  1. Alomari, M.
  2. Medjdoub, F.
  3. Carlin, J.-F.
  4. Feltin, E.
  5. Grandjean, N.
  6. Chuvilin, A.
  7. Kaiser, U.
  8. Gaquière, C.
  9. Kohn, E.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Ano de publicación: 2009

Volume: 30

Número: 11

Páxinas: 1131-1133

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/LED.2009.2031659 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus