InAlN/GaN MOSHEMT with self-aligned thermally generated oxide recess

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Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2009

Ausgabe: 30

Nummer: 11

Seiten: 1131-1133

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2009.2031659 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus