Above 500 °C Operation of InAlN/GaN HEMTs

  1. Maier, D.
  2. Alomari, M.
  3. Grandjean, N.
  4. Carlin, J.-F.
  5. Diforte-Poisson, M.-A.
  6. Dua, C.
  7. Chuvilin, A.
  8. Troadec, D.
  9. Gaquière, C.
  10. Kaiser, U.
  11. Delage, S.
  12. Kohn, E.
Actas:
Device Research Conference - Conference Digest, DRC

ISSN: 1548-3770

ISBN: 9781424435289

Año de publicación: 2009

Páginas: 285-286

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/DRC.2009.5354902 GOOGLE SCHOLAR