Testing the temperature limits of GaN-based HEMT devices

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Revista:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

ISSN: 1530-4388,  1530-4388

Año de publicación: 2010

Volumen: 10

Número: 4

Páginas: 427-436

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TDMR.2010.2072507 GOOGLE SCHOLAR
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