Cristales fotónicos ópalo-semiconductor

Laburpena

Esta Tesis recoge los resultados experimentales sobre la síntesis de silicio y CdS en ópalos artificiales y de sus propiedades fotónicas. Los cristales fotónicos son estructuras periódicas de índices de regracción alternantes que presentan bandas prohibidas para sus estados fotónicos. Este hecho puede ser aprovechado para modificar las propiedades ópticas de los materiales sin afectar a sus propiedades electrónicas. Entre sus númerosas aplicación es, destaca la posibilidad de control de la emisión espontánea y fabricar así láseres de bajo umbral. Nuestra aproximación se basa en la fabricación de cristales fotónicos tridimensionales basados en ópalos artificiales como alternativa los sofisticados métodos de fabricación acutales. Los ópalos artificiales presentan propiedades fotónicas que pueden ser mejoradas mediante la inclusión de materiales de alto índice de refracción. Así, se ha crecido CdS en el interior de las estructuras opalinas con una alta eficacia pudiendo fabricar ópalos inversos de este semiconductor. Se ha investigado, a su vez, el efecto de la estructura fotónica en las propiedades luminescentes del CdS y de la rodamina 6-G. Mediante la fabricación de ópalos inversos de silicio se ha conseguido, por vez primera, basándose en estas estructuras, un GAP fotónico completo tridimensional, objetivo éste perseguido durante los últimos años por numerosos laboratorios de todo el mundo.