Estructura electrónica y vibracional de sistemas de baja dimensionalidad

  1. Lobo Checa, Jorge

Universidad de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 30 de enero de 2004

Tribunal:
  1. Rodolfo Miranda Soriano Presidente/a
  2. Andres Rodriguez Pedro De Secretario/a
  3. Angel Rubio Secades Vocal
  4. Miguel Ángel González Barrio Vocal
  5. Jordi Fraxedas Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 104734 DIALNET

Resumen

Esta memoria está dividida en tres partes: En la primera parte se estudia mediante fotoemisión resuelta en ángulo el comportamiento de los estados de superficie de superficies vecinales de Cu(111) y del sistema nanoestructurado Ag/Cu(223). En las superficies vecinales se ha observado una transición en el comportamiento del estado de superficie, de modo que para bajos ángulos de corte está referido a las terrazas (111), y para ángulos de corte por encima de 7º está referido a la superficie óptica. El sistema Ag/Cu (223) es interesante puesto que permite sintonizar el tamaño lateral de las terrazas de Cu en función del recubrimiento de Ag, lo que equivale a estudiar muestras de Cu(111) vecinal con un cambio continuo de ángulos de corte entre 11.8º y 0º. Caracterizada la superficie previamente mediante LEED y STM, se ha observado que el comprotamiento mostrado por los estados de superficie de Ag y Cu es independiente entre sí, y está modulado por el ángulo de faceta local. En un estrecho rango de recubrimientos de Ag se ha observado la formación de estados de pozo cuántico en las terrazas de Cu. En la segunda parte se estudia mediante técnicas de tiempo de vuelo de HAS la dinámica vibracional de Ge(111)-c(2x8) y la transicíon de fase inducida por temperatura de la fase alfa-Sn/Ge(111). En ambos casos se ha ajustado de forma semi-empírica al forma de la onda de Rayleigh a lo largo de ambas direcciones de alta simetría. Para el Ge(111), los rasgos más claros e intensos siguen una simetría (2x2) y se ha obtenido la densidad de estados de los fonones experimental. Para la transición de fase alfa-Sn/Ge(111) se ha determinado que el mecanismo físico responsable de la transición de fase es la renormalización de un fonón de superficie, lo que resuelve la polémica acerca de la naturaleza de esta transición. Además, se ha determinado que la transición es de tipo orden-desorden. En la última parte se estu