Asymmetry of domain forward switching and multilevel relaxation times of domain backswitching in antiferroelectric Pb0.99 Nb0.02 (Zr0.84 Sn0.12 Ti0.04) 0.98 O3 thin films

  1. Jiang, A.Q.
  2. Lin, Y.Y.
  3. Tang, T.A.
  4. Zhang, Q.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2007

Ausgabe: 90

Nummer: 14

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.2718506 GOOGLE SCHOLAR

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