Asymmetry of domain forward switching and multilevel relaxation times of domain backswitching in antiferroelectric Pb0.99 Nb0.02 (Zr0.84 Sn0.12 Ti0.04) 0.98 O3 thin films

  1. Jiang, A.Q.
  2. Lin, Y.Y.
  3. Tang, T.A.
  4. Zhang, Q.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Any de publicació: 2007

Volum: 90

Número: 14

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.2718506 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus