Reduced hydrogen diffusion in strained amorphous SiO2: Understanding ageing in MOSFET devices

  1. Sheikholeslam, S.A.
  2. Manzano, H.
  3. Grecu, C.
  4. Ivanov, A.
Aldizkaria:
Journal of Materials Chemistry C

ISSN: 2050-7526,  2050-7534

Argitalpen urtea: 2016

Alea: 4

Zenbakia: 34

Orrialdeak: 8104-8110

Mota: Artikulua

DOI: 10.1039/C6TC02647H GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak

Datuen iturria: Scopus