Electronic Bandgap and Exciton Binding Energy of Layered Semiconductor TiS3

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Revista:
Advanced Electronic Materials

ISSN: 2199-160X

Año de publicación: 2015

Volumen: 1

Número: 9

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/AELM.201500126 GOOGLE SCHOLAR

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