Estudio de la interfase Alcali/GaAs (110) y su interacción con el oxígeno
Universidad de defensa: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 28 de septiembre de 1990
- Fernando Flores Sintas Presidente/a
- Federico Soria Secretario/a
- Luis Galan Vocal
- José Sánchez Dehesa Vocal
- Teresa Montojo Vocal
Tipo: Tesis
Resumen
LA INTERFASE ALCALI/GA AS (110) RESULTA SER IDEAL PARA EL ESTUDIO DE PROBLEMAS DE LA FISICA DE SUPERFICIES FUNDAMENTALES. EN EL TRABAJO QUE SE PRESENTA SE HACEN UNA CORRECTA DESCRIPCION DE LAS PARTES, INFLUENCIA DE LOS SISTEMAS DE MEDIDA, DE LAS CONDICIONES DE EXPERIMENTACION SE ANALIZAN ADECUADAMENTE, ESTABLECIENDO LA MANERA EN LA QUE PUEDE ESTUDIARSE EL SISTEMA. A CONTINUACION SE PROCEDE AL ESTUDIO DEL MODO DE CRECIMIENTO DE LOS METALES ALCALINOS EN EL GA AS (110) DETERMINANDOSE VALORES TALES COMO LA TRANSFERENCIA DE CARGA ADATOMO-SUSTRATO Y EL RECIBIMIENTO DE SATURACION. A CONTINUACION SE PROCEDE A LA OXIDACION DE LA INTERFASE CRECIDA Y SE CONCLUYE ESTABLECIENDO LAS CONDICIONES EN LAS QUE SE PRODUCE LA OXIDACION DEL SUSTRATO, LA PARTE FINAL ESTUDIA EL CASO CONCRETO DE INTERFASE ABRUPTA OXIDO-GA AS (110) Y SE APROVECHA ESTA CIRCUNSTANCIA PARA ABORDAR LOS PROBLEMAS: LA INFLUENCIA DEL CAMPO CRISTALINO EN LOS ORBITALES DE VALENCIA DEL OXIGENO Y LA RELACION ENTRE "BAND-BENDING" Y METALICIDAD.