Infrared spectroscopic near-field microscopy of nanoparticles and semiconductor nanowires

Resumen

En esta tesis se estudian las propiedades dieléctricas de nanoparticulas y nanohilos semiconductores mediante un microscopio de campo cercano. Para este estudio se ha usado un microscopio óptico de campo cercano de tipo dispersión (s-SNOM) que ofrece las ventajas de ser una técnica de caracterización no invasiva, no destructiva y libre de contactos. Utilizando esta técnica se consigue en este trabajo determinar cuantitativamente la conductividad en un nanohilo individual de InP. Además, la Técnica s-SNOM se ha utilizado para visualizar el perfil radial de portadores libres en secciones transversales de nanohilos de ZnO. Finalmente, este tesis presenta un estudio detallado sobre los límites de resolución de la técnica s-SNOM en áreas pequeñas. Los resultados obtenidos abren la puerta para la obtención de imágenes químicas con resolución nanométrica al mismo tiempo que muestra una gran potencial para el estudio de nuevos materiales como el grafeno, aislantes topológicos, o nanostructuras orgánicas y biológicas.