Modelado de transistores mosfet de potencia para aplicaciones de radio frecuencia en banda l

Abstract

Partiendo del tipo de transistor a modelar, se ha elegido el tipo de modelo circuital y se ha seleccionado la topología. El proceso se ha completado con la extracción de los parámetros intrínsecos y extrínsecos, se ha obtenido la variación de los elementos con la polarización y las funciones no lineales de ajuste. El modelo se ha validado en pequeña señal y se ha hecho una validación exhaustiva en gran señal. El proceso de caracterización experimental se ha realizado en regimen pulsado. La validación de las medidas se ha hecho con la técnica de Load-Pull.