Estado del arte de la tecnología planar y trench de IGBTs de silicio
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Matallana Fernandez, Asier
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Andreu Larrañaga, Jon
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Aranzabal Santamaria, Itxaso
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- López Senderos, Víctor 1
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Pérez Basante, Angel Luis
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Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea
info
Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea
Lejona, España
Editorial: SAAEI
ISBN: 978-84-944131-2-4
Ano de publicación: 2015
Páxinas: 466-471
Tipo: Achega congreso
Resumo
La aparición del IGBT supuso el desarrollo del semiconductor de potencia para las aplicaciones depotencia que requieren elevados valores de tensión y corriente junto a elevadas frecuencias deconmutación. Durante los últimos 30 años, con la evolución de la tecnología y los métodos defabricación, se han ido desarrollando diversas arquitecturas de IGBTs con el objetivo de conseguirdispositivos capaces de soportar mayores potencias y temperaturas, obteniendo al mismo tiempomenores pérdidas de conducción y conmutación. En este artículo se analiza la evolución desde lasarquitecturas planares y trench de los IGBTs de silicio hasta la fusión de ambas tecnologías en unmismo dispositivo analizando los rangos de tensión y corriente de cada tecnología, junto a su diseño ylas características estáticas, dinámicas y térmicas que los definen.