Wide bandgap technologies for medium voltage applications

  1. Arrizabalaga Etxezarreta, Antxon
Dirigée par:
  1. Mikel Mazuela Larrañaga Directeur

Université de défendre: Mondragon Unibertsitatea

Fecha de defensa: 22 février 2023

Jury:
  1. Leon M. Tolbert President
  2. David Garrido Díez Secrétaire
  3. Estanislao Oyarbide Usabiaga Rapporteur
  4. Iker Aretxabaleta Astoreka Rapporteur
  5. Víctor Manuel López Martín Rapporteur

Type: Thèses

Teseo: 823627 DIALNET lock_openTESEO editor

Résumé

Las energías renovables están experimentando un gran incremento en los últimos años. Debido a sus singularidades, la electrónica de potencia es necesaria para su integración masiva en la red. En este contexto, los módulos de alta potencia de carburo de silicio (SiC) se identifican como posibles candidatos para mejorar las características de los semiconductores insulated gate bipolar transistor (IGBT) de silicio (Si) que se utilizan actualmente en la energía eólica, dadas sus mejores propiedades. El objetivo principal de esta tesis es analizar el impacto de los semiconductores de SiC en la energía eólica, e identificar los principales retos que conlleva su uso en comparación con los módulos de Si.