Wide bandgap technologies for medium voltage applications

  1. Arrizabalaga Etxezarreta, Antxon
unter der Leitung von:
  1. Mikel Mazuela Larrañaga Doktorvater

Universität der Verteidigung: Mondragon Unibertsitatea

Fecha de defensa: 22 von Februar von 2023

Gericht:
  1. Leon M. Tolbert Präsident/in
  2. David Garrido Díez Sekretär
  3. Estanislao Oyarbide Usabiaga Vocal
  4. Iker Aretxabaleta Astoreka Vocal
  5. Víctor Manuel López Martín Vocal

Art: Dissertation

Teseo: 823627 DIALNET lock_openTESEO editor

Zusammenfassung

Las energías renovables están experimentando un gran incremento en los últimos años. Debido a sus singularidades, la electrónica de potencia es necesaria para su integración masiva en la red. En este contexto, los módulos de alta potencia de carburo de silicio (SiC) se identifican como posibles candidatos para mejorar las características de los semiconductores insulated gate bipolar transistor (IGBT) de silicio (Si) que se utilizan actualmente en la energía eólica, dadas sus mejores propiedades. El objetivo principal de esta tesis es analizar el impacto de los semiconductores de SiC en la energía eólica, e identificar los principales retos que conlleva su uso en comparación con los módulos de Si.