Wide bandgap technologies for medium voltage applications

  1. Arrizabalaga Etxezarreta, Antxon
Dirigida per:
  1. Mikel Mazuela Larrañaga Director

Universitat de defensa: Mondragon Unibertsitatea

Fecha de defensa: 22 de de febrer de 2023

Tribunal:
  1. Leon M. Tolbert President/a
  2. David Garrido Díez Secretari
  3. Estanislao Oyarbide Usabiaga Vocal
  4. Iker Aretxabaleta Astoreka Vocal
  5. Víctor Manuel López Martín Vocal

Tipus: Tesi

Teseo: 823627 DIALNET lock_openTESEO editor

Resum

Las energías renovables están experimentando un gran incremento en los últimos años. Debido a sus singularidades, la electrónica de potencia es necesaria para su integración masiva en la red. En este contexto, los módulos de alta potencia de carburo de silicio (SiC) se identifican como posibles candidatos para mejorar las características de los semiconductores insulated gate bipolar transistor (IGBT) de silicio (Si) que se utilizan actualmente en la energía eólica, dadas sus mejores propiedades. El objetivo principal de esta tesis es analizar el impacto de los semiconductores de SiC en la energía eólica, e identificar los principales retos que conlleva su uso en comparación con los módulos de Si.