High-mobility two-dimensional MA2 N4 (M = Mo, W; A = Si, Ge) family for transistors
- Xiao, W.-H.
- Yang, K.
- D'Agosta, R.
- Xu, H.-R.
- Ouyang, G.
- Zhou, G.
- Chen, K.-Q.
- Tang, L.-M.
ISSN: 2469-9969, 2469-9950
Année de publication: 2024
Volumen: 109
Número: 11
Type: Article