Gated-controlled rectification of a self-assembled monolayer-based transistor

  1. Mentovich, E.D.
  2. Rosenberg-Shraga, N.
  3. Kalifa, I.
  4. Gozin, M.
  5. Mujica, V.
  6. Hansen, T.
  7. Richter, S.
Revista:
Journal of Physical Chemistry C

ISSN: 1932-7447,  1932-7455

Ano de publicación: 2013

Volume: 117

Número: 16

Páxinas: 8468-8474

Tipo: Artigo

DOI: 10.1021/JP311875G GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus