Gated-controlled rectification of a self-assembled monolayer-based transistor

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Zeitschrift:
Journal of Physical Chemistry C

ISSN: 1932-7447,  1932-7455

Datum der Publikation: 2013

Ausgabe: 117

Nummer: 16

Seiten: 8468-8474

Art: Artikel

DOI: 10.1021/JP311875G GOOGLE SCHOLAR

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